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IDT10506LL15C

更新时间: 2024-02-15 19:20:05
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 375K
描述
x4 Synchronous SRAM

IDT10506LL15C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:12 ns
其他特性:SELF-TIMED WRITEI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDSO-J32JESD-609代码:e0
长度:20.96 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
湿度敏感等级:3负电源额定电压:-5.2 V
功能数量:1端子数量:32
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:75 °C
最低工作温度:组织:64KX4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ32,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:-5.2 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.76 mm子类别:SRAMs
最大压摆率:0.28 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

IDT10506LL15C 数据手册

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