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IDT10514S10C

更新时间： 2024-01-15 08:46:35

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艾迪悌 - IDT		信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	97K
描述
Standard SRAM, 256KX4, 10ns, BICMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

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IDT10514S10C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	10 ns	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-CDIP-T32	JESD-609代码：	e0
长度：	40.894 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
负电源额定电压：	-5.2 V	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	75 °C	最低工作温度：
组织：	256KX4	输出特性：	OPEN-EMITTER
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP32,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	-5.2 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.26 mA
表面贴装：	NO	技术：	BICMOS
温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IDT10514S10C 数据手册

PRELIMINARY

IDT10514

HIGH-SPEED BiCMOS

ECL STATIC RAM

1M (256K x 4-BIT) SRAM

IDT100514

IDT101514

Integrated Device Technology, Inc.

These devices are part of a family of asynchronous four-

bit-wide ECL SRAMs. The devices have been configured to

follow the standard ECL SRAM JEDEC pinout. Because they

are manufactured in BiCMOS technology, power dissipation

isgreatlyreducedoverequivalentbipolardevices. Lowpower

operation provides higher system reliability and makes pos-

sible the use of the plastic SOJ package for high-density

surface mount assembly.

The fast access time and guaranteed Output Hold time

allowgreatermarginforsystemtimingvariation. DataINsetup

time specified with respect to the trailing edge of Write Pulse

eases write timing allowing balanced Read and Write cycle

times.

FEATURES:

• 262,144-words x 4-bit organization

• Address access time: 10/12/15 ns

• Low power dissipation: 800mW (typ.)

• Guaranteed Output Hold time

• Fully compatible with ECL logic levels

• Separate data input and output

• Standard through-hole and surface mount packages

• Guaranteed-performance die available for MCMs/hybrids

DESCRIPTION:

The IDT10514, IDT100514 and IDT101514 are 1,048,576-

bit high-speed BiCMOS ECL Static Random Access Memo-

ries organized as 256Kx4, with separate data inputs and

outputs. All I/Os are fully compatible with ECL levels.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

16,384-BIT

MEMORY ARRAY

VCC

VEE

DECODER

A11

SENSE AMPS

AND READ/WRITE

CONTROL

WE1

WE2

2811 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE

AUGUST 1992

1992 Integrated Device Technology, Inc.

12 3 4 5 6 7

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与IDT10514S10C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT10514S10Y	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX4, 10ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
IDT10514S12C	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX4, 12ns, BICMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
IDT10514S12Y	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX4, 12ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
IDT10514S15C	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX4, 15ns, BICMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
IDT10514S15Y	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX4, 15ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
IDT10596RR10V	ETC	获取价格	x9 SRAM
IDT10596RR12V	ETC	获取价格	x9 SRAM
IDT10596RR15V	ETC	获取价格	x9 SRAM
IDT10A474S10D	IDT	获取价格	Standard SRAM, 1KX4, 10ns, BICMOS, CDIP24, 0.400 INCH, CERDIP-24
IDT10A474S10DF	IDT	获取价格	Standard SRAM, 1KX4, 7ns, CDIP24

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