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IDT10596RR12V

更新时间: 2024-02-06 21:27:21
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管信息通信管理
页数 文件大小 规格书
10页 315K
描述
x9 SRAM

IDT10596RR12V 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SSOP包装说明:0.300 INCH, PLASTIC, SSOP-48
针数:48Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:12 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e0长度:15.875 mm
内存密度:294912 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:9湿度敏感等级:1
负电源额定电压:-5.2 V功能数量:1
端子数量:48字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:75 °C最低工作温度:
组织:32KX9输出特性:OPEN-EMITTER
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SSOP
封装等效代码:SSOP48,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:-5.2 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.794 mm子类别:SRAMs
最大压摆率:0.28 mA表面贴装:YES
技术:BICMOS温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式:GULL WING
端子节距:0.635 mm端子位置:DUAL
宽度:7.5 mmBase Number Matches:1

IDT10596RR12V 数据手册

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