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IDT10A474S7DF

更新时间: 2024-02-03 03:12:41
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10页 685K
描述
x4 SRAM

IDT10A474S7DF 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:7 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-J24
JESD-609代码:e0内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
湿度敏感等级:3负电源额定电压:-5.2 V
端子数量:24字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1KX4输出特性:OPEN-EMITTER
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ24,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:-5.2 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
表面贴装:YES温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

IDT10A474S7DF 数据手册

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