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IDT10A484S5E

更新时间: 2024-10-02 20:15:19
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 597K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 5ns, CDFP28

IDT10A484S5E 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:5 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-CDFP-F28JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4负电源额定电压:-5.2 V
功能数量:1端子数量:28
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4KX4
输出特性:OPEN-EMITTER封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DFP封装等效代码:FL28,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:-5.2 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs最大压摆率:0.19 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

IDT10A484S5E 数据手册

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