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IDT10A484S4-5Y

更新时间: 2024-10-02 18:52:11
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 740K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 4.5ns, PDSO28

IDT10A484S4-5Y 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最长访问时间:4.5 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDSO-J28JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4湿度敏感等级:3
负电源额定电压:-5.2 V端子数量:28
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4KX4
输出特性:OPEN-EMITTER封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ28,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:-5.2 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
表面贴装:YES温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

IDT10A484S4-5Y 数据手册

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