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IDT10506LL18Y

更新时间: 2024-02-26 08:12:47
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 375K
描述
x4 Synchronous SRAM

IDT10506LL18Y 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:15 ns其他特性:SELF-TIMED WRITE
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0长度:20.96 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4湿度敏感等级:3
负电源额定电压:-5.2 V功能数量:1
端子数量:32字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:75 °C最低工作温度:
组织:64KX4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ32,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:-5.2 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.76 mm
子类别:SRAMs最大压摆率:0.28 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL EXTENDED端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

IDT10506LL18Y 数据手册

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