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IDT10504S7C

更新时间： 2024-02-25 11:23:18

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艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	83K
描述
Standard SRAM, 64KX4, 7ns, CDIP32

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IDT10504S7C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	7 ns
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-XDIP-T32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
负电源额定电压：	-5.2 V	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX4
封装主体材料：	CERAMIC	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP32,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	-5.2 V	认证状态：	Not Qualified
子类别：	SRAMs	表面贴装：	NO
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IDT10504S7C 数据手册

IDT10504

IDT100504

IDT101504

HIGH-SPEED BiCMOS

ECL STATIC RAM

256K (64K x 4-BIT) SRAM

Integrated Device Technology, Inc.

These devices are part of a family of asynchronous four-

bit-wide ECL SRAMs. The devices have been configured to

follow the standard ECL SRAM JEDEC pinout. Because they

are manufactured in BiCEMOS technology, power dissipa-

tion is greatly reduced over equivalent bipolar devices. Low

power operation provides higher system reliability and makes

possible the use of the plastic SOJ package for high-density

surface mount assembly.

The fast access time and guaranteed Output Hold time

allowgreatermarginforsystemtimingvariation. DataINsetup

time specified with respect to the trailing edge of Write Pulse

eases write timing allowing balanced Read and Write cycle

times.

FEATURES:

• 65,536-words x 4-bit organization

• Address access time: 7/8/10/12/15 ns

• Low power dissipation: 1000mW (typ.)

• Guaranteed Output Hold time

• Fully compatible with ECL logic levels

• Separate data input and output

• Standard through-hole and surface mount packages

• Guaranteed-performance die available for MCMs/hybrids

DESCRIPTION:

The IDT10504, IDT100504 and IDT101504 are 262,144-

bit high-speed BiCEMOS

ECL static random access

memories organized as 64Kx4, with separate data inputs and

outputs. All I/Os are fully compatible with ECL levels.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

65,536-BIT

MEMORY

ARRAY

VCC

VEE

DECODER

A15

SENSE AMPS

AND READ/WRITE

CONTROL

2780 drw 01

BiCEMOS is a trademark of Integrated Device Technology, Inc.

COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE

SEPTEMBER 1992

1992 Integrated Device Technology, Inc.

12 3 4 5 6 7

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与IDT10504S7C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT10504S7Y	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 7ns, PDSO32
IDT10504S8C	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 8ns, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
IDT10504S8Y	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 8ns, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32
IDT10506LL12C	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 12ns, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32
IDT10506LL15C	ETC	获取价格	x4 Synchronous SRAM
IDT10506LL15Y	ETC	获取价格	x4 Synchronous SRAM
IDT10506LL18C	ETC	获取价格	x4 Synchronous SRAM
IDT10506LL18Y	ETC	获取价格	x4 Synchronous SRAM
IDT10506RL12C	ETC	获取价格	x4 Synchronous SRAM
IDT10506RL12Y	ETC	获取价格	x4 Synchronous SRAM

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