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IDC28D120T6M

更新时间： 2024-02-03 06:22:49

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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描述
Diode EMCON 4 Medium Power Chip

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IDC28D120T6M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	DIE	包装说明：	4.50 X 6.30 MM, DIE-1
针数：	1	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.40
风险等级：	5.7	应用：	FAST SOFT RECOVERY POWER
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	2.05 V
JESD-30 代码：	R-XUUC-N1	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	50 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IDC28D120T6M 数据手册

IDC28D120T6M

Diode EMCON 4 Medium Power Chip

FEATURES:

This chip is used for:

1200V EMCON 4 technology

soft, fast switching

low reverse recovery charge

small temperature coefficient

low / medium power modules

Applications:

low / medium power drives

Chip Type

V_R

I_F

Die Size

4.50 x 6.30 mm²

Package

IDC28D120T6M

1200V 50A

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

Raster size

4.50 x 6.30

28.35 / 20.12

3.546 x 5.346

110

Area total / active

Anode pad size

Thickness

mm²

µm

deg

Wafer size

150

Flat position

180

Max. possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metall

518 pcs

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metall

Die bond

suitable for epoxy and soft solder die bonding

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, £500µm

Reject ink dot size

Æ 0.65mm; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended storage environment

Edited by INFINEON Technologies, AIM PMD D CID T, L4671B, Edition 0.9, 26.06.07

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