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ICTE-18C

更新时间: 2024-01-03 02:17:12
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

ICTE-18C 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.52
最小击穿电压:21.2 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:25.5 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:18 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

ICTE-18C 数据手册

 浏览型号ICTE-18C的Datasheet PDF文件第2页 

ICTE-18C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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Trans Voltage Suppressor Diode, 18V V(RWM), Bidirectional,
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