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ICM7555CN/01,112

更新时间: 2024-01-03 22:21:15
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恩智浦 - NXP 信息通信管理光电二极管
页数 文件大小 规格书
22页 124K
描述
ICM7555 - General purpose CMOS timer DIP 8-Pin

ICM7555CN/01,112 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:0.300 INCH, PLASTIC, MO-001, SC504-8, SOT97-1, DIP-8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.73Is Samacsys:N
模拟集成电路 - 其他类型:PULSEJESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e4长度:9.5 mm
功能数量:1端子数量:8
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
最大输出频率:0.5 GHz封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5/15 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.2 mm
子类别:Analog Waveform Generation Functions最大供电电压 (Vsup):16 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

ICM7555CN/01,112 数据手册

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ICM7555  
NXP Semiconductors  
General purpose CMOS timer  
002aae407  
2
10  
I
V
= 18 V  
5 V  
o(sink)  
(mA)  
DD  
2 V  
10  
1
1  
10  
1  
10  
1
1
1
10  
V
V
V
(V)  
(V)  
(V)  
OL  
OL  
OL  
a. Tamb = +125 °C.  
002aae408  
2
10  
I
V
= 18 V  
5 V  
2 V  
o(sink)  
(mA)  
DD  
10  
1
1  
10  
1  
10  
10  
b. Tamb = +25 °C.  
002aae409  
2
10  
V
= 18 V  
5 V  
2 V  
DD  
I
o(sink)  
(mA)  
10  
1
1  
10  
1  
10  
10  
c. Tamb = 55 °C.  
Fig 7. Low output voltage versus output sink current  
ICM7555_2  
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 02 — 3 August 2009  
7 of 22  

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