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ICM7555CN/01,112

更新时间： 2024-02-02 06:15:54
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 信息通信管理光电二极管
页数 文件大小 规格书
22页 124K
描述
ICM7555 - General purpose CMOS timer DIP 8-Pin

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ICM7555CN/01,112 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.300 INCH, PLASTIC, MO-001, SC504-8, SOT97-1, DIP-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.73Is Samacsys：N
模拟集成电路 - 其他类型：PULSEJESD-30 代码：R-PDIP-T8
JESD-609代码：e4长度：9.5 mm
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
最大输出频率：0.5 GHz封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP8,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5/15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.2 mm
子类别：Analog Waveform Generation Functions最大供电电压 (Vsup)：16 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

ICM7555CN/01,112 数据手册

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ICM7555  
NXP Semiconductors  
General purpose CMOS timer  
8. Limiting values  
Table 4.  
Limiting values  
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).  
Symbol  
VDD  
Parameter  
Conditions  
Min  
Max  
Unit  
V
supply voltage  
input voltage  
18  
[1]  
VI  
TRIGGER  
−0.3  
−0.3  
−0.3  
−0.3  
-
VDD + 0.3  
VDD + 0.3  
VDD + 0.3  
VDD + 0.3  
100  
V
CONTROL_VOLTAGE  
THRESHOLD  
RESET  
V
V
V
IO  
P
output current  
mA  
[2][3]  
power dissipation  
Tamb = 25 °C (still air)  
DIP8 package  
-
1160  
780  
mW  
mW  
°C  
SO8 package  
-
Tstg  
Tsp  
storage temperature  
−65  
+150  
300  
solder point temperature  
soldering 60 s  
-
°C  
[1] Due to the SCR structure inherent in the CMOS process used to fabricate these devices, connecting any terminal to a voltage greater  
than VDD + 0.3 V or less than GND − 0.3 V may cause destructive latch-up. For this reason it is recommended that no inputs from  
external sources not operating from the same power supply be applied to the device before its power supply is established. In multiple  
systems, the supply of the ICM7555 must be turned on first.  
[2] Above 25 °C, derate at the following rates:  
DIP8 package at 9.3 mW / °C  
SO8 package at 6.2 mW / °C  
[3] Refer to Section 11.2 “Power supply considerations” section.  
9. Characteristics  
Table 5.  
Characteristics  
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.  
Sym Parameter  
bol  
Conditions  
min ≤ Tamb ≤ Tmax  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VDD  
IDD  
supply voltage  
supply current[1]  
T
3
-
-
16  
V
VDD = Vmin  
VDD = Vmax  
50  
180  
200  
300  
µA  
µA  
-
Astable mode timing[2][3]  
∆f/f frequency stability  
-
-
-
-
-
1.0  
0.1  
50  
5.0  
%
∆f/∆V frequency variation with voltage  
3.0  
%/V  
∆f/∆T frequency variation with  
VDD = 5 V  
-
-
-
ppm/°C  
temperature[4]  
VDD = 10 V  
75  
ppm/°C  
VDD = 15 V  
100  
ppm/°C  
VI  
input voltage  
TRIGGER: VDD = 5 V  
CONTROL_VOLTAGE: VDD = 5 V  
THRESHOLD: VDD = 5 V  
RESET: VDD = Vmin and Vmax  
0.29VDD 0.31VDD 0.34VDD  
0.62VDD 0.65VDD 0.67VDD  
0.63VDD 0.65VDD 0.67VDD  
V
V
V
V
0.4VDD  
0.7VDD  
1.0VDD  
ICM7555_2  
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 02 — 3 August 2009  
4 of 22  
 
 
 
 
 
 
 
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