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IC42S16160C-6TL

更新时间： 2024-01-09 13:05:13

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
40页	1538K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54

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IC42S16160C-6TL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.81
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e3
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IC42S16160C-6TL 数据手册

IS42S83200C

IS42S16160C

IC42S16160C

256 Mb Single Data Rate Synchronous DRAM

PRELIMINARY INFORMATION

JUNE 2008

General Description

IS42S83200C is organized as 4-bank x 8,388,608-word x 8-bit Synchronous DRAM with LVTTL interface and

IS42S16160C and IC42S16160C is organized as 4-bank x 4,194,304-word x 16-bit. All inputs and outputs are referenced to

the rising edge of CLK. IS42S83200C, IS42S16160C and IC42S16160C achieve very high speed data rates up to 166MHz, and

are suitable for main memories or graphic memories in computer systems.

Features

- Single 3.3V ±0.3V power supply

- Max. Clock frequency :

- 6:166MHz<3-3-3>/-7:143MHz<3-3-3>/-75:133MHz<3-3-3>

- Fully synchronous operation referenced to clock rising edge

- 4-bank operation controlled by BA0,BA1(Bank Address)

- /CAS latency- 2/3 (programmable)

- Burst length- 1/2/4/8/FP (programmable)

- Burst type- Sequential and interleave burst (programmable)

- Byte Control- LDQM and UDQM (IS42S16160C, IC42S16160C)

- Random column access

- Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

- Auto and self refresh

- 8192 refresh cycles /64ms

- LVTTL Interface

- Package

400-mil, 54-pin Thin Small Outline (TSOP II) with 0.8mm lead pitch

Pb-free package is available

notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the lat-

est version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. 00D

05/29/08

12 3 4 5 6 7...40

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IC42S16160C-7TL	ISSI	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,	获取价格
IC42S16400	ICSI	1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM	获取价格
IC42S16400-6BG	ICSI	1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM	获取价格
IC42S16400-6BIG	ICSI	1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM	获取价格
IC42S16400-6T	ICSI	1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM	获取价格
IC42S16400-6TG	ICSI	1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM	获取价格
IC42S16400-6TI	ICSI	1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM	获取价格
IC42S16400-6TIG	ICSI	1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM	获取价格
IC42S16400-7BG	ICSI	1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM	获取价格
IC42S16400-7BIG	ICSI	1M x 16Bit x 4 Banks (64-MBIT) SDRAM	获取价格

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