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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TSOP2-26/24 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 访问模式： | EDO PAGE |
| 最长访问时间： | 60 ns | 其他特性： | RAS ONLY CAS BEFORE RAS /HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 4MX4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP | 封装等效代码： | TSOP24/26,.36 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 反向引出线： | NO | 自我刷新： | NO |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 最大压摆率： | 0.11 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IC41C44004-60T | ICSI |
获取价格 |
4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode |
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| IC41C44004-60T | ISSI |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24 |
|
| IC41C44004-60TI | ICSI |
获取价格 |
4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode |
|
| IC41C4400X | ICSI |
获取价格 |
4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode |
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| IC41C44052-50J | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, |
|
| IC41C44052-50J | ICSI |
获取价格 |
4Mx4 bit Dynamic RAM with Fast Page Mode |
|
| IC41C44052-50JI | ICSI |
获取价格 |
4Mx4 bit Dynamic RAM with Fast Page Mode |
|
| IC41C44052-50JI | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24 |
|
| IC41C44052-50T | ICSI |
获取价格 |
4Mx4 bit Dynamic RAM with Fast Page Mode |
|
| IC41C44052-50T | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, |
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