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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.58 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 11.66 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 2.06% | 工作测试电流： | 5 mA |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HZU12B1TRF-E | RENESAS |
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暂无描述 |
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| HZU12B2 | RENESAS |
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Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer |
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| HZU12B2 | HITACHI |
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Zener Diode, 11.99V V(Z), 2.09%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, URP, 2 PIN |
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| HZU12B2L | RENESAS |
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Silicon Planar Zener Diode for Low Noise Application |
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| HZU12B2TLF | RENESAS |
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暂无描述 |
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| HZU12B2TRF | RENESAS |
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暂无描述 |
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| HZU12B2TRF-E | RENESAS |
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HZU12B2TRF-E |
|
| HZU12B3 | RENESAS |
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Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer |
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| HZU12B3L | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Planar Zener Diode for Low Noise Application |
|
| HZU12B3TLF | RENESAS |
获取价格 |
12.34V, 0.2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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