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HZS24NB4TD-E

更新时间: 2024-01-09 08:11:08
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瑞萨 - RENESAS 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
7页 57K
描述
HZS24NB4TD-E

HZS24NB4TD-E 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:DO-34
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.48
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-34
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.2 µA表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

HZS24NB4TD-E 数据手册

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HZS-N Series  
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply  
REJ03G0185-0100Z  
(Previous: ADE-208-124)  
Rev.1.00  
Mar.11.2004  
Features  
Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 400 mW are ideally suited for stabilized  
power supply, etc.  
Wide spectrum from 1.88 V through 38.52 V of zener voltage provide flexible application.  
Suitable for 5mm-pitch high speed automatic insertion.  
Ordering Information  
Type No.  
Mark  
Package Code  
HZS-N Series  
Type No.  
MHD  
Pin Arrangement  
B
2
2
1
Type No.  
Cathode band  
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.1.00, Mar.11.2004, page 1 of 6  

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