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HZM2.7NB1TR-E

更新时间: 2024-11-23 13:08:31
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 195K
描述
HZM2.7NB1TR-E

HZM2.7NB1TR-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:MPAK
包装说明:MPAK-3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.65配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:2.7 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20最大电压容差:4.76%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

HZM2.7NB1TR-E 数据手册

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HZM-N Series  
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer  
REJ03G0483-0500  
(Previous: ADE-208-130D)  
Rev.5.00  
Dec 14, 2004  
Features  
Wide spectrum from 1.9 V through 38 V of zener voltage provide flexible application.  
MPAK Package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.  
Ordering Information  
Type No.  
HZM-N Series  
Laser Mark  
Let to Mark Code  
Package Code  
MPAK  
Pin Arrangement  
3
1. NC  
2. Anode  
3. Cathode  
1
2
(Top View)  
Rev.5.00, Dec.14.2004, page 1 of 7  

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