5秒后页面跳转
HYM5V72A414ASLTFG-60 PDF预览

HYM5V72A414ASLTFG-60

更新时间: 2024-02-01 06:56:25
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 343K
描述
x72 EDO Page Mode DRAM Module

HYM5V72A414ASLTFG-60 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM, DIMM168针数:168
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
备用内存宽度:32I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N168内存密度:301989888 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:72
功能数量:1端口数量:1
端子数量:168字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
座面最大高度:25.4 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.0036 A子类别:DRAMs
最大压摆率:1.098 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HYM5V72A414ASLTFG-60 数据手册

 浏览型号HYM5V72A414ASLTFG-60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HYM5V72A414ASLTFG-60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HYM5V72A414ASLTFG-60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HYM5V72A414ASLTFG-60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HYM5V72A414ASLTFG-60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HYM5V72A414ASLTFG-60的Datasheet PDF文件第7页 
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  

与HYM5V72A414ASLTFG-60相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HYM5V72A414ASLTFG-70 ETC x72 EDO Page Mode DRAM Module

获取价格

HYM5V72A414ASLTFG-80 ETC x72 EDO Page Mode DRAM Module

获取价格

HYM5V72A414ASLTKG-60 HYNIX EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168

获取价格

HYM5V72A414ASLTKG-70 HYNIX EDO DRAM Module, 4MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168

获取价格

HYM5V72A414ASLTKG-80 HYNIX EDO DRAM Module, 4MX72, 80ns, CMOS, DIMM-168

获取价格

HYM5V72A414ASLTNG-80 HYNIX EDO DRAM Module, 4MX72, 80ns, CMOS, DIMM-168

获取价格