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HYM5V72A414ATFG-60

更新时间: 2024-02-03 01:17:34
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其他 - ETC 动态存储器
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11页 343K
描述
x72 EDO Page Mode DRAM Module

HYM5V72A414ATFG-60 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM, DIMM168针数:168
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH备用内存宽度:32
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N168
内存密度:301989888 bit内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE
内存宽度:72功能数量:1
端口数量:1端子数量:168
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX72
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM168
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:25.4 mm
自我刷新:NO最大待机电流:0.018 A
子类别:DRAMs最大压摆率:1.098 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HYM5V72A414ATFG-60 数据手册

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