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HYG210P06LQ1D

更新时间： 2022-02-26 12:18:41

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华羿微 - HUAYI		/
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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HYG210P06LQ1D 数据手册

HYG210P06LQ1 D/U/V

Table 1.SnPb Eutectic Process – Classification Temperatures (Tc)

Package

Thickness

＜2.5 mm

≥2.5 mm

Volume mm³

<350

Volume mm³

≥350

235 °C

220 °C

Table 2.Pb-free Process – Classification Temperatures (Tc)

Package

Thickness

<1.6 mm

Volume mm³

<350

Volume mm³

350-2000

260 °C

Volume mm³

≥2000

260 °C

1.6 mm – 2.5 mm

≥2.5 mm

260 °C

250 °C

245 °C

250 °C

245 °C

Reliability Test Program

Test item

Method

Description

SOLDERABILITY

JESD-22, B102

JESD-22, A108

JESD-22, A102

JESD-22, A104

5 Sec, 245°C

HTRB

PCT

168 Hrs/500 Hrs/1000Hrs, Bias @ 150°C

96 Hrs, 100%RH, 2atm, 121°C

500 Cycles, -55°C~150°C

TCT

Customer Service

Worldwide Sales and Service: sales@hymexa.com

Technical Support: Technology@hymexa.com

Huayi Microelectronics Co., Ltd.

No.8928,Shangji Road,Economic and Technological Development Zone,Xi'an,China

TEL: (86-029) 86685706

FAX: (86-029) 86685705

E-mail: sales@hymexa.com

Web net: www.hymexa.com

www.hymexa.com

V1.1

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