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HYI18T1G160BC-3.7

更新时间： 2024-02-27 09:55:34

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奇梦达 - QIMONDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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74页	4044K
描述
1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

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HYI18T1G160BC-3.7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数：	84	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	266 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
长度：	17 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	84
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA84,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	245	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.012 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

July 2007

HY[B/I]18T1G400B[F/C](L)

HY[B/I]18T1G800B[F/C](L)

HY[B/I]18T1G16[0/7]B[F/C](L/V)

1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM

DDR2 SDRAM

RoHS Compliant Products

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HYI18T1G160BC-3S	QIMONDA	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM	获取价格
HYI18T1G160BC-5	QIMONDA	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM	获取价格
HYI18T1G160BF-2.5	QIMONDA	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM	获取价格
HYI18T1G160BF-2.5F	QIMONDA	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM	获取价格
HYI18T1G160BF-3	QIMONDA	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM	获取价格
HYI18T1G160BF-3.7	QIMONDA	1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM	获取价格