型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
HYG200P10LR1P | HUAYI | 此器件为 -100V、20mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用Trench流片工艺, |
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HYG210P06LQ1D | HUAYI | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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HYG210P06LQ1U | HUAYI | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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HYG210P06LQ1V | HUAYI | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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HYG260P03LR1S | HUAYI | 此器件为 P 沟道、-30V耐压、21.6mΩ内阻、SOP8L封装产品,芯片采用Trenc |
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HYG400P10LQ1D | HUAYI | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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