Datasheet > HYB18M256160CF-6

HYB18M256160CF-6

更新时间： 2024-01-12 11:01:11

品牌	Logo	应用领域
奇梦达 - QIMONDA		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	1609K
描述
DDR DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10 X 10.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, VFBGA-60

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HYB18M256160CF-6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	FBGA, BGA60,9X10,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	83 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8,16	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
长度：	10.5 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA60,9X10,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.05 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8,16,FP	最大待机电流：	0.0007 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.115 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

HYB18M256160CF-6 数据手册

Internet Data Sheet

HY[B/E]18M256[16/32]0CF

256-Mbit DDR Mobile-RAM

TABLE 1

Performance

Part Number Speed Code

Clock Frequency (f_CKmax

– 6

– 7.5

Unit

)

CL = 3

CL = 2

166

133

MHz

Access Time (t_ACmax

)

5.5

6.0

TABLE 2

Memory Addressing Scheme

Item

Addresses

Banks

Rows

BA0, BA1

A0 - A12 (x16)

A0 - A11 (x32)

Columns

A0 - A8

TABLE 3

Ordering Information

Type¹⁾

Package

Description

Standard Temperature Range

HYB18M256320CF–6/7.5 90–ball PG-VFBGA-60-3

HYB18M256160CF–6/7.5 60–ball PG-VFBGA-60-4

166/133 MHz 4 Banks × 2 Mbit × 32 Low Power DDR SDRAM

166/133 MHz 4 Banks × 4 Mbit × 16 Low Power DDR SDRAM

Extended Temperature Range

HYE18M256320CF–6/7.5 90–ball PG-VFBGA-60-3

HYE18M256160CF–6/7.5 60–ball PG-VFBGA-60-4

166/133 MHz 4 Banks × 2 Mbit × 32 Low Power DDR SDRAM

166/133 MHz 4 Banks × 4 Mbit × 16 Low Power DDR SDRAM

1) HY[B/E]: Designator for memory products (HYB: Standard temp. range, HYE: Extended temp. range)

18M: 1.8V DDR Mobile-RAM

256: 256 MBit density

16/32: 16 or 32 bit interface width

C: die revisionF: green product

-6 / -7.5: speed grades (min. clock cycle time)

Rev.1.44, 2007-07

06262007-JK8G-48BV

1 2 345 6 7...26

中文翻译

下载PDF

与HYB18M256160CF-6相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HYB18M256160CF-6/7.5	QIMONDA	DRAMs for Mobile Applications	获取价格
HYB18M256160CF-7.5	QIMONDA	DDR DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 10 X 10.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, VFBGA-60	获取价格
HYB18M256320CF	QIMONDA	DRAMs for Mobile Applications	获取价格
HYB18M256320CF-6/7.5	QIMONDA	DRAMs for Mobile Applications	获取价格
HYB18M512160AF-7.5	INFINEON	DDR DRAM, 32MX16, 6.5ns, CMOS, PBGA60	获取价格
HYB18M512160AF-8	INFINEON	DDR DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA60	获取价格