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HY62256ALP-55

更新时间： 2024-02-05 07:25:37

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9页	146K
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x8 SRAM

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HY62256ALP-55 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP28,.6
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.26	最长访问时间：	55 ns
其他特性：	BATTERY BACKUP	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	37 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.826 mm	最大待机电流：	0.00005 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

HY62256ALP-55 数据手册

HY62256A Series

Note(READ CYCLE):

1. tCHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are not

referenced to output voltage levels.

2. At any given temperature and voltage condition, tCHZ max. is less than tCLZ min. both for a given device

and from device to device.

3. /WE is high for the read cycle.

READ CYCLE 2

tRC

ADDR

tAA

tOH

Data

Out

Previous Data

Data Valid

Note(READ CYCLE):

1. /WE is high for the read cycle.

2. Device is continuously selected /CS= VIL.

3. /OE =VIL.

WRITE CYCLE 1(/OE Clocked)

tWC

ADDR

tAW

tCW

tAS

tWR

tWP

tDW

tDH

Data Valid

Data In

tOHZ

Data

Out

Rev.02 /Jun.99

1 2 3 456 7 8 9

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与HY62256ALP-55相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY62256ALP-55I	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	获取价格
HY62256ALP-70	ETC	x8 SRAM	获取价格
HY62256ALP-70I	ETC	x8 SRAM	获取价格
HY62256ALP-85	ETC	x8 SRAM	获取价格
HY62256ALP-85I	HYNIX	Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	获取价格
HY62256ALP-I	HYNIX	32Kx8bit CMOS SRAM	获取价格