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HY62256ALLR1-70

更新时间： 2024-01-09 06:53:07

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9页	146K
描述
x8 SRAM

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HY62256ALLR1-70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1-R, TSSOP28,.53,22
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.39	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	BATTERY BACKUP	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e0
长度：	11.8 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装等效代码：	TSSOP28,.53,22
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000015 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.55 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

HY62256ALLR1-70 数据手册

HY62256A Series

Data Retention Timing Diagram

DATA RETENTION MODE

VCC

4.5V

tCDR

2.2V

VDR

CS>VCC-0.2V

VSS

RELIABILITY SPEC.

TEST MODE

TEST SPEC.

ESD

HBM

>2000V

> 250V

LATCH - UP

< -100mA

> 100mA

PACKAGE INFORMATION

28pin 600mil Dual In-Line Package(P)

MAX.

UNIT : INCH(mm)

MIN.

1.467(37.262)

1.447(36.754)

0.600(15.240)BSC

0.065(1.650)

0.050(1.270)

0.090(2.286)

0.070(1.778)

0.550(13.970)

0.530(13.462)

0.155(3.937)

0.145(3.683)

0.035(0.889)

0.020(0.508)

0.140(3.556)

0.120(3.048)

3 deg

11 deg

0.014(0.356)

0.008(0.200)

0.021(0.533)

0.015(0.381)

0.100(2.54)BSC

Rev.02 /Jun.99

1...4 5 678 9

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