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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | TSOP1-R, TSSOP28,.53,22 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.39 | 最长访问时间： | 70 ns |
| 其他特性： | BATTERY BACKUP | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 11.8 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1-R | 封装等效代码： | TSSOP28,.53,22 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 反向引出线： | YES |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.000015 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.55 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HY62256ALLR1-85 | ETC | x8 SRAM |
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| HY62256ALLT1 | HYNIX | 32Kx8bit CMOS SRAM |
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| HY62256ALLT1-10 | HYNIX | Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
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| HY62256ALLT1-10I | HYNIX | Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS |
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| HY62256ALLT1-120 | HYNIX | Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP1-28 |
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| HY62256ALLT1-55 | ETC | x8 SRAM |
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