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HY5W2A2F-P

更新时间: 2024-01-04 10:50:54
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 399K
描述
Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90

HY5W2A2F-P 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA, BGA90,9X15,32针数:90
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B90JESD-609代码:e1
长度:13 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:90字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:4MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA90,9X15,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8/2.5,2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.0006 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.13 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:8 mmBase Number Matches:1

HY5W2A2F-P 数据手册

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HY5W2A2(L/S)F / HY57W2A3220(L/S)T  
HY5W22CF / HY57W283220T  
4Banks x 1M x 32bits Synchronous DRAM  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
1Mbit x 4banks x 32 I/O Synchronous DRAM  
TCSR, PASR  
Extended  
Self refresh  
logic & timer  
Mode  
Register  
Internal Row  
Counter  
Row  
1Mx32 Bank3  
CLK  
CKE  
Active  
Row  
Pre  
1Mx32 Bank2  
1Mx32 Bank1  
Decoders  
1Mx32 Bank0  
DQ0  
CS  
Memory  
Cell  
RAS  
CAS  
refresh  
Array  
Column  
Active  
Column  
pre  
DQ31  
WE  
Decoders  
Column decoders  
DQM0  
DQM1  
DQM2  
DQM3  
Column Add  
Counter  
bank select  
A0  
A1  
Address  
Registers  
Burst  
Counter  
A11  
BA1  
BA0  
Mode  
CAS Latency  
Data Out  
Control  
Register  
Rev. 0.5/Jan. 03  
5

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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