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HY5V66EF6-P

更新时间： 2024-02-14 04:21:10

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海力士 - HYNIX		动态存储器
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12页	220K
描述
64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

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HY5V66EF6-P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,7X15,25
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e1
长度：	10.1 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA60,7X15,25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	6.4 mm	Base Number Matches：	1

HY5V66EF6-P 数据手册

11Preliminary

Synchronous DRAM Memory 64Mbit (4Mx16bit)

HY5V66E(L)F6(P) Series

DC CHARACTERISTICS II (TA= 0 to 70 C)

Speed

Parameter

Symbol

Test Condition

Unit Note

Burst length=1, One bank active

tRC ≥ tRC(min), IOL=0mA

Operating Current

IDD1

120 110

100

IDD2P

CKE ≤ VIL(max), tCK = 15ns

CKE ≤ VIL(max), tCK = ∞

Precharge Standby Current

in Power Down Mode

IDD2PS

CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCK

= 15ns

IDD2N

Input signals are changed one time

during 2clks.

All other pins ≥ VDD-0.2V or ≤ 0.2V

Precharge Standby Current

in Non Power Down Mode

CKE ≥ VIH(min), tCK = ∞

Input signals are stable.

IDD2NS

IDD3P

CKE ≤ VIL(max), tCK = 15ns

CKE ≤ VIL(max), tCK = ∞

Active Standby Current

in Power Down Mode

IDD3PS

CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCK

= 15ns

IDD3N

Input signals are changed one time

during 2clks.

All other pins ≥ VDD-0.2V or ≤ 0.2V

Active Standby Current

in Non Power Down Mode

CKE ≥ VIH(min), tCK = ∞

Input signals are stable.

IDD3NS

Burst Mode Operating Cur-

rent

tCK ≥ tCK(min), IOL=0mA

All banks active

IDD4

IDD5

120 110

210 195

100

180

Auto Refresh Current

tRC ≥ tRC(min), All banks active

Normal

CKE ≤ 0.2V

Self Refresh Current

IDD6

Low power

400

Note :

1. IDD1 and IDD4 depend on output loading and cycle rates. Specified values are measured with the output open

2. Min. of tRRC (Refresh RAS cycle time) is shown at AC CHARACTERISTICS II

3. HY5V66EF6(P) Series : Normal Power / HY5V66ELF6(P) Series : Low Power

Rev. 0.2 / June. 2005

1...5 6 789 10 11 12

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与HY5V66EF6-P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V66EF6P-5	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF6P-6	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF6P-7	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF6P-H	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF6P-P	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66EF-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBG	获取价格

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