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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | FBGA, BGA54,9X9,32 | 针数： | 54 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.24 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 125 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B54 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 13.5 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 16MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA54,9X9,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.07 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HY5V56BF-HI | HYNIX | Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 |
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| HY5V56BF-I | ETC | 16Mx16|3.3V|8K|H/8/P/S|SDR SDRAM - 256M |
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| HY5V56BF-P | HYNIX | Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 |
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| HY5V56BF-PI | HYNIX | Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 |
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| HY5V56BF-S | HYNIX | Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 |
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| HY5V56BF-SI | HYNIX | Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 13.50 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 |
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