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HY5V52ELMP-HI

更新时间： 2024-02-21 05:56:36

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	172K
描述
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90

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HY5V52ELMP-HI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA90,9X15,32	针数：	90
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.82
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	90	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA90,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

HY5V52ELMP-HI 数据手册

Synchronous DRAM Memory 256Mbit (8Mx16bit *2stack)

HY5V52E(L)M(P)-xI Series

ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Parameter

Symbol

Rating

Unit

^oC

Ambient Temperature

Storage Temperature

-40 ~ 85

^oC

TSTG

VIN, VOUT

VDD, VDDQ

IOS

-55 ~ 125

-1.0 ~ 4.6

Voltage on Any Pin relative to VSS

Voltage on VDD supply relative to VSS

Short Circuit Output Current

Power Dissipation

Soldering Temperature ^.Time

260 ^.10

^oC ^.Sec

TSOLDER

DC OPERATING CONDITION

Parameter

Power Supply Voltage

Input High Voltage

Input Low Voltage

Symbol

Min

Max

3.6

Unit

Note

VDD, VDDQ

VIH

3.0

2.0

VDDQ + 0.3

0.8

1, 2

1, 3

VIL

-0.3

Note: 1. All voltages are referenced to VSS = 0V.

2. VIH Max is acceptable VDDQ + 2V for a pulse width with <= 3ns of duration.

3. VIL(min) is acceptable -2.0V for a pulse width with <= 3ns of duration.

AC OPERATING TEST CONDITION (TA= -40 to 85 ^oC, VDD=3.3±0.3V, VSS=0V)

Parameter

Symbol

VIH / VIL

Vtrip

Value

2.4 / 0.4

0.5 x VDDQ

Unit

Note

AC Input High / Low Level Voltage

Input Timing Measurement Reference Level Voltage

Input Rise / Fall Time

tR / tF

Voutref

Output Timing Measurement Reference Level Voltage

Output Load Capacitance for Access Time Measurement

0.5 x VDDQ

Note: 1. See Next Page

Rev. 1.0 / Nov. 2005

1...5 6 789 10 11...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY5V52EM-6I	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FB
HY5V52EM-H	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FB
HY5V52EM-HI	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FB
HY5V52EMP-6	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE
HY5V52EMP-H	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE
HY5V52EMP-HI	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE
HY5V52F	HYNIX	获取价格	4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM
HY5V52F-H	HYNIX	获取价格	4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM
HY5V52F-P	HYNIX	获取价格	4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM
HY5V52FP-6	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90

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