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HY5DU56422DLT-K

更新时间: 2024-12-01 13:08:27
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海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
36页 366K
描述
DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

HY5DU56422DLT-K 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSSOP, TSSOP66,.46
针数:66Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66长度:22.225 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:66
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP66,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.194 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.01 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.22 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY5DU56422DLT-K 数据手册

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This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix semiconductor does not assume  
any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 0.4/ May. 02  

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