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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP50,.46,32 |
| 针数： | 50 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.82 | 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 7 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 66 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G50 |
| JESD-609代码： | e6 | 长度： | 20.968 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 50 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP50,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HY57V161610ETP-55 | HYNIX | Synchronous DRAM, 1MX16, 5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, |
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| HY57V161610ETP-55I | HYNIX | Synchronous DRAM, 1MX16, 5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, |
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| HY57V161610ETP-7 | HYNIX | Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, |
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| HY57V161610ETP-7I | HYNIX | Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, |
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| HY57V161610ETP-8 | HYNIX | Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, |
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| HY57V161610ETP-8I | HYNIX | Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, |
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