Datasheet > HY57V161610ETP-10

HY57V161610ETP-10

更新时间： 2024-02-09 14:29:40

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	88K
描述
Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HY57V161610ETP-10 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数：	50	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.82	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G50
JESD-609代码：	e6	长度：	20.968 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	50
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HY57V161610ETP-10 数据手册

浏览型号HY57V161610ETP-10的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号HY57V161610ETP-10的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号HY57V161610ETP-10的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号HY57V161610ETP-10的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号HY57V161610ETP-10的Datasheet PDF文件第6页

HY57V161610E

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Ambient Temperature

0 ~ 70

-55 ~ 125

-1.0 ~ 4.6

°C

Storage Temperature

TSTG

°C

Voltage on Any Pin relative to VSS

Voltage on VDD relative to VSS

Short Circuit Output Current

Power Dissipation

VIN, VOUT

VDD

IOS

Soldering Temperature·Time

TSOLDER

260·10

°C ·Sec

Note : Operation at above absolute maximum rating can adversely affect device reliability.

DC OPERATING CONDITION (TA=0°C to 70°C)

Parameter

Power Supply Voltage

Input high voltage

Symbol

VDD, VDDQ

Min

3.0

Typ.

3.3

3.0

Max

3.6

Unit

Note

1, 2, 3

1, 4

VIH

VIL

2.0

VDD + 0.3

0.8

Input low voltage

-0.3

1, 5

Note :

1.All voltages are referenced to VSS = 0V.

2.VDD(min) is 3.15V when HY57V161610ETP-7 operates at CAS latency=2

3.VDD(min) of HY57V161610ETP-5/55 is 3.15V

4.Vih(Max) : 4.6V AC pulse width with < 3ns of duration.

5.Vil(min) : -1.5V AC pulse width with < 3ns of duration.

AC OPERATING CONDITION (TA=0°C to 70°C, VDD=3.0V to 3.6V, VSS=0V)

Parameter

AC input high / low level voltage

Symbol

VIH / VIL

Vtrip

Value

2.4/0.4

1.4

Unit

Note

Input timing measurement reference level voltage

Input rise / fall time

tR / tF

Voutref

Output timing measurement reference level

Output load capacitance for access time measurement

1.4

Note :

1. Output load to measure access times is equivalent to two TTL gates and one capacitance(30pF).

For details, refer to AC/DC output load circuit.

2. VDD(min) is 3.15V when HY57V161610ETP-7 operates at CAS latency=2 and tCK2=8.9ns

3. VDD(min) of HY57V161610ETP-5/55 is 3.15V‘

Rev. 0.1 / Nov. 2003

1 2 345 6 7...13

下载PDF

与HY57V161610ETP-10相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY57V161610ETP-10I	HYNIX	暂无描述	获取价格
HY57V161610ETP-15	HYNIX	Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,	获取价格
HY57V161610ETP-15I	HYNIX	Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,	获取价格
HY57V161610ETP-55	HYNIX	Synchronous DRAM, 1MX16, 5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,	获取价格
HY57V161610ETP-55I	HYNIX	Synchronous DRAM, 1MX16, 5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,	获取价格
HY57V161610ETP-7	HYNIX	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,	获取价格

与HY57V161610ETP-10相关文章

STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
2024-05-30

17
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
2024-05-30

16
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
2024-05-30

14
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
2024-05-30

11

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HY57V161610ETP-10

HY57V161610ETP-10 技术参数

HY57V161610ETP-10 数据手册

与HY57V161610ETP-10相关器件

与HY57V161610ETP-10相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HY57V161610ETP-10

HY57V161610ETP-10 技术参数

HY57V161610ETP-10 数据手册

与HY57V161610ETP-10相关器件

与HY57V161610ETP-10相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？