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HY57V161610ET-15I

更新时间： 2024-02-28 03:12:55

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
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13页	209K
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2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

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HY57V161610ET-15I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数：	50	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	66 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G50	长度：	20.968 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	50
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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HY57V161610ET-I

CAPACITANCE (TA=25°C, f=1MHz)

Parameter

Symbol

CI1

Min

2.5

Max

Unit

CLK

A0 ~ A10, BA

Input capacitance

CI2

2.5

CKE, CS, RAS, CAS, WE, UDQM, LDQM

Data input / output capacitance

DQ0 ~ DQ15

CI/O

6.5

OUTPUT LOAD CIRCUIT

Vtt=1.4V

RT=250 Ω

Output

30pF

DC Output Load Circuit

AC Output Load Circuit

DC CHARACTERISTICS I ^{(TA=-40°C to 85°C)}

Parameter

Power Supply Voltage

Input leakage current

Output leakage current

Output high voltage

Output low voltage

Symbol

Min.

3.0

-1

Max

3.6

Unit

Note

VDD

1, 2

-1

VOH

VOL

2.4

IOH = -4mA

IOL =+4mA

0.4

Note :

1.VDD(min) is 3.15V when HY57V161610ET-7I operates at CAS latency=2 and tCK2=8.9ns.

2.VDD(min) of HY57V161610ET-5I/55I is 3.15V

3.VIN = 0 to 3.6V, All other pins are not under test = 0V

4.DOUT is disabled, VOUT=0 to 3.6V

Rev. 0.1 / Nov. 2003

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