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HY5216256GE-70

更新时间： 2024-01-11 16:27:12

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HY5216256GE-70 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SSOP
包装说明：	SSOP, SOP64,.54,32	针数：	64
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 256 X 16 SAM PORT
JESD-30 代码：	R-PDSO-G64	JESD-609代码：	e0
长度：	26.29 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	VIDEO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	64	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SSOP
封装等效代码：	SOP64,.54,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	512	座面最大高度：	2.36 mm
最大待机电流：	0.005 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.155 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	MOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...63

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY5216257GE-60	ETC	获取价格	EDO Page Mode VRAM
HY5216257GE-70	ETC	获取价格	EDO Page Mode VRAM
HY524400J-10	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY524400J-70	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY524400J-80	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY524800J-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-28
HY524800J-80	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-28
HY-53	PERKINELMER	获取价格	Thyratrons
HY531000AJ-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
HY531000AJ-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20