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HY514260BSLRC-60

更新时间: 2024-02-04 04:20:22
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
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15页 467K
描述
x16 Fast Page Mode DRAM

HY514260BSLRC-60 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2-R, TSOP40/44,.46,32针数:44
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.88
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G40
JESD-609代码:e0长度:18.41 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2-R封装等效代码:TSOP40/44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
反向引出线:YES座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.00015 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.13 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

HY514260BSLRC-60 数据手册

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