是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2-R, TSOP40/44,.46,32 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.88 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 80 ns | 其他特性: | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; SELF REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.41 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 40 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2-R | 封装等效代码: | TSOP40/44,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 512 |
反向引出线: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.0002 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY514260SLTC-60 | ETC |
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x16 Fast Page Mode DRAM | |
HY514260SLTC-70 | ETC |
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x16 Fast Page Mode DRAM | |
HY514260SLTC-80 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM | |
HY514260TC-60 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM | |
HY514260TC-70 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM | |
HY514260TC-80 | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM | |
HY514264BJC-50 | HYNIX |
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EDO DRAM, 256KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 | |
HY514264BJC-60 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 | |
HY514264BJC-70 | ETC |
获取价格 |
x16 EDO Page Mode DRAM | |
HY514264BLJC-50 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 256KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |