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HY514260BTC-50

更新时间: 2024-01-24 19:06:42
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器ISM频段光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 345K
描述
Fast Page DRAM, 256KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40

HY514260BTC-50 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.55
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:50 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G40
JESD-609代码:e6长度:18.41 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:512座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY514260BTC-50 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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