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HY514260BLTC-60

更新时间： 2024-01-01 14:24:41

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海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	345K
描述
Fast Page DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40

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HY514260BLTC-60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP40/44,.46,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.55	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	40
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP40/44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.00015 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.13 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY514260BLTC-70	HYNIX	Fast Page DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40	获取价格
HY514260BLTC-80	ETC	x16 Fast Page Mode DRAM	获取价格
HY514260BRC-60	ETC	x16 Fast Page Mode DRAM	获取价格
HY514260BRC-70	ETC	x16 Fast Page Mode DRAM	获取价格
HY514260BRC-80	ETC	x16 Fast Page Mode DRAM	获取价格
HY514260BSLJC-60	HYNIX	Fast Page DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40	获取价格