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HY29F002TT-12

更新时间： 2024-01-12 07:00:22

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
45页	1402K
描述
Flash, 256KX8, 120ns, PDSO32, TSOP-32

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HY29F002TT-12 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.67	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	MINIMUM 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,3	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP32,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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HY29F002TT-45I	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
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HY29F002TT-55E	HYNIX	获取价格	Flash, 256KX8, 55ns, PDSO32, TSOP-32
HY29F002TT-55I	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
HY29F002TT-70	HYNIX	获取价格	2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
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