生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.47 |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | MINIMUM 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 8 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.556 mm | 部门规模: | 64K |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 11.43 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY29F040AC-70E | HYNIX |
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512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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HY29F040AC-70I | HYNIX |
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512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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HY29F040AC-90 | HYNIX |
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512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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HY29F040AC-90E | HYNIX |
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512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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HY29F040AC-90I | HYNIX |
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512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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HY29F040AP-12 | HYNIX |
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512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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HY29F040AP-12E | HYNIX |
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512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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HY29F040AP-12I | HYNIX |
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512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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HY29F040AP-15 | HYNIX |
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512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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HY29F040AP-15E | HYNIX |
获取价格 |
512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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