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HY27USXXX

更新时间： 2022-11-24 21:17:22
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海力士 - HYNIX 闪存
页数 文件大小 规格书
43页 730K
描述
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash

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HY27USXXX 数据手册

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HY27SS(08/16)121M Series  
HY27US(08/16)121M Series  
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash  
Document Title  
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash Memory  
Revision History  
No.  
0.0  
0.1  
0.2  
0.3  
History  
Draft Date  
Sep.17.2003  
Oct.07.2003  
Nov.08.2003  
Dec.01.2003  
Remark  
Preliminary  
Preliminary  
Preliminary  
Preliminary  
Initial Draft  
Renewal Product Group  
Make a decision of PKG information  
Append 1.8V Operation Product to Data sheet  
1) Add Errata  
tWC tWH tWP tRC tREH tRP tREA@ID Read  
Specification  
50  
60  
15  
20  
25  
40  
50  
60  
15  
20  
30  
40  
35  
45  
Relaxed value  
0.4  
Mar.28.2004  
Preliminary  
2) Modify the description of Device Operations  
- /CE Don’t Care Enabled(Disabled) -> Sequential Row Read Disabled  
(Enabled) (Page22)  
3) Add the description of System Interface Using CE don’t care  
(Page37)  
1) Delete Errata  
2) Change Characteristics (3V Product)  
tCRY  
tREA@ID Read  
0.5  
0.6  
Jun. 01. 2004  
Oct. 20. 2004  
Preliminary  
Before  
After  
60 + tr  
70 + tr  
35  
45  
3) Delete Cache Program  
1) Change TSOP1, WSOP1, FBGA package dimension  
2) Edit TSOP1, WSOP1 package figures  
3) Change FBGA package figure  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for  
use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev 0.6 / Oct. 2004  
1
1234567...43

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