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HY27US08122B-SPCS

更新时间: 2024-11-23 20:49:43
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
40页 360K
描述
Flash, 64MX8, 18ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEAD FREE, USOP1-48

HY27US08122B-SPCS 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:VSSOP, TSSOP48,.71,20针数:48
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.84
最长访问时间:18 ns命令用户界面:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PDSO-G48
长度:15.4 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1部门数/规模:4K
端子数量:48字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VSSOP封装等效代码:TSSOP48,.71,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小:512 words并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3/3.3 V
编程电压:3.3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:0.65 mm
部门规模:16K最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
切换位:NO类型:SLC NAND TYPE
宽度:12 mmBase Number Matches:1

HY27US08122B-SPCS 数据手册

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HY27US(08/16)12(1/2)B Series  
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash  
512Mb NAND FLASH  
HY27US(08/16)12(1/2)B  
HY27US0812(1/2)B  
HY27US1612(1/2)B  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for  
use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev 0.5 / Jul. 2007  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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