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HY23V04200D-120 PDF预览

HY23V04200D-120

更新时间： 2024-01-01 14:51:12
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 82K
描述
MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40

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HY23V04200D-120 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP40,.6针数：40
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.84
最长访问时间：120 ns备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDIP-T40长度：52.451 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：MASK ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：40字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP40,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.926 mm
最大待机电流：0.00005 A子类别：MASK ROMs
最大压摆率：0.035 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

HY23V04200D-120 数据手册

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256K X 16/ 512K X 8 BIT  
CMOS MASK ROM  
HY23V04200  
Description  
The HY23V04200 high performance read only memory is organized either as 524,288 x 8 bit  
(byte mode) or as 262,144 x 16 bit(word mode) followed by BHE mode select. The low power  
feature allows the battery operation. The large size of 4M bit memory density is ideal for  
character generator, data or program memory in micro-processor application. And a high speed  
access of 70/100/120ns(max) is most suitable to the system using a high speed micro-computer  
by 16bits. The HY23V04200 is packaged 40pin DIP or 40 pin SOP.  
Key features  
Pin Description  
• Switchable Organization  
Pin  
Function  
Byte Mode : 524,288 X 8 bit  
Word Mode : 262,144 X 16 bit  
• Single 3.3V power supply operation  
• Access Time : 70/100/120ns (Max)  
• Standby Current : 50 (Max)  
• Operating Current : 35 (Max)  
• TTL compatible inputs and outputs  
• 3-State outputs for wired-OR expansion  
• Word or Byte switchable by BHE pin  
• Programmable CE or OE pin  
• Fully static operation  
A0~A17  
Address inputs  
Data Outputs  
Q0~Q14  
Q15/A-1  
Output Q15(Word Mode)/  
LSB Address(Byte Mode)  
BHE  
Byte High Enable input  
(Word/Byte selection)  
CEB*  
OEB*  
VCC  
VSS  
Chip Enable input  
Output Enable input  
Power supply  
Ground  
• Package  
HY23V04200D  
HY23V04200S  
: 40pin Plastic DIP(600 mil)  
: 40pin Plastic SOP(500mil)  
* User selectable polarity  
Pin Configuration  
A17  
A17  
1
1
40  
39  
38  
37  
36  
35  
A8  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
A7  
A6  
A5  
A4  
2
3
2
3
A9  
A9  
A10  
A11  
A12  
A10  
A11  
A12  
4
5
6
4
5
6
A3  
A3  
A13  
A13  
A2  
A1  
A2  
A1  
7
7
A14  
A14  
34  
33  
34  
33  
8
8
A15  
A15  
A0  
A0  
9
9
A16  
A16  
32  
31  
30  
32  
31  
30  
CEB  
VSS  
OEB  
Q0  
10  
CEB  
VSS  
OEB  
Q0  
10  
40DIP  
40SOP  
BHE  
VSS  
Q15/A-1  
Q7  
BHE  
VSS  
Q15/A-1  
Q7  
11  
12  
11  
12  
29  
28  
27  
26  
29  
28  
27  
26  
13  
13  
Q8  
Q8  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
Q14  
Q14  
Q1  
Q9  
Q1  
Q9  
Q6  
Q6  
Q13  
Q13  
25  
24  
23  
22  
21  
25  
24  
23  
22  
21  
Q2  
Q2  
Q5  
Q5  
Q10  
Q3  
Q10  
Q3  
Q12  
Q4  
Q12  
Q4  
Q11  
Q11  
20  
20  
VCC  
VCC  
HY23V04200D  
HY23V04200S  
Rev0 Page 1 of 6  
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与HY23V04200D-120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY23V04200S-70 HYNIX

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 		MASK ROM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-40
HY23V08000D-100 HYNIX

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 		MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
HY23V08000D-120 HYNIX

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 		MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
HY23V08000D-70 HYNIX

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 		MASK ROM, 1MX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
HY23V08000S-120 HYNIX

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 		MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-32
HY23V08200D-120 HYNIX

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 		MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
HY23V08200D-70 HYNIX

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 		MASK ROM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
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 		MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
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