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HVM306TR

更新时间: 2024-02-18 22:12:33
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 105K
描述
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency, 30V, Silicon

HVM306TR 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
最小击穿电压:30 V配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最小二极管电容比:10二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE频带:VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:2
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HVM306TR 数据手册

  

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