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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | R-PDSO-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.27 | 最小击穿电压： | 65 V |
| 标称二极管电容： | 0.4 pF | 最大二极管正向电阻： | 2 Ω |
| 二极管电阻测试电流： | 10 mA | 二极管电阻测试频率： | 100 MHz |
| 二极管类型： | PIN DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 反向测试电压： | 1 V | 子类别： | PIN Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HVC135 | TYSEMI | Adopting the trench structure improves low capacitance |
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| HVC135 | HITACHI | Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching |
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| HVC135 | KEXIN | Silicon Epitaxial Trench Pin Diode |
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| HVC136 | TYSEMI | Adopting the trench structure improves low capacitance |
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| HVC136 | KEXIN | Silicon Epitaxial Trench Pin Diode |
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| HVC136 | HITACHI | Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching |
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| HVC136UFP | HITACHI | Variable Capacitance Diode, |
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| HVC138 | RENESAS | PIN DIODE,SINGLE,25V V(BR),EMD2 |
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| HVC138 | HITACHI | Pin Diode, 25V V(BR), UFP, 2 PIN |
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| HVC139 | HITACHI | Pin Diode, 30V V(BR), UFP, 2 PIN |
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探究MOS管沟道夹断后载流子传输机制及其电路设计影响
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