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HUF76609D3

更新时间： 2024-11-23 22:55:19
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL /
页数 文件大小 规格书
9页 339K
描述
10A, 100V, 0.165 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

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HUF76609D3 数据手册

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HUF76609D3, HUF76609D3S  
Data Sheet  
October 1999  
File Number 4688.2  
10A, 100V, 0.165 Ohm, N-Channel, Logic  
Level UltraFET Power MOSFET  
Packaging  
Features  
JEDEC TO-251AA  
JEDEC TO-252AA  
• Ultra Low On-Resistance  
- r  
- r  
= 0.160Ω, VGS = 10V  
= 0.165Ω, VGS = 5V  
DS(ON)  
DS(ON)  
DRAIN  
(FLANGE)  
DRAIN  
(FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
• Simulation Models  
®
©
- Temperature Compensated PSPICE and SABER  
Electrical Models  
GATE  
SOURCE  
©
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.Intersil.com  
HUF76609D3S  
HUF76609D3  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
• Switching Time vs R  
GS  
Curves  
Symbol  
D
Ordering Information  
PART NUMBER  
HUF76609D3  
PACKAGE  
BRAND  
76609D  
76609D  
G
TO-251AA  
TO-252AA  
HUF76609D3S  
S
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T  
to obtain the variant in tape and reel, e.g., HUF76609D3ST.  
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF76609D3,  
HUF76609D3S  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
100  
100  
16  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
GS  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
= 5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
10  
10  
7
7
A
A
A
A
C
GS  
D
D
o
Continuous (T = 25 C, V  
C
GS  
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
= 4.5V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
C
GS  
D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .UIS  
Figures 6, 17, 18  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
49  
0.327  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTE:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Follow proper ESD Handling Procedures.  
1
UltraFET™ is a trademark of Intersil Corporation. PSPICE® is a registered trademark of MicroSim Corporation.  
SABER© is a Copyright of Analogy Inc.http://www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
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