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HTD111F1000KDF

更新时间: 2024-01-08 18:05:42
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 栅极
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4页 167K
描述
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|1KV V(RRM)|111A I(T)

HTD111F1000KDF 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
最大直流栅极触发电流:150 mA最大直流栅极触发电压:2 V
快速连接描述:G-GR螺丝端子的描述:A-K-AK
最大漏电流:30 mA通态非重复峰值电流:2600 A
最大通态电流:111000 A最高工作温度:125 °C
重复峰值反向电压:1000 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
Base Number Matches:1

HTD111F1000KDF 数据手册

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