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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-213AB |
| 包装说明： | O-XELF-R2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.4 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-213AB |
| JESD-30 代码： | O-XELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HSM1100G | MICROSEMI |
获取价格 |
1 Amp Schottky Rectifier |
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| HSM1100GE3/TR13 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, |
|
| HSM1100J | MICROSEMI |
获取价格 |
1 Amp Schottky Rectifier |
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| HSM112WK | ETC |
获取价格 |
APPLICATION SPECIFIC DIODE ARRAY|SC-59 |
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| HSM112WKTL | RENESAS |
获取价格 |
0.03A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| HSM112WKTR | RENESAS |
获取价格 |
0.03A, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| HSM113WK | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Battery Switch |
|
| HSM113WKTL | RENESAS |
获取价格 |
0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| HSM11DRAH | ETC |
获取价格 |
CONN EDGE DUAL FMALE 22POS 0.156 |
|
| HSM11DRAI | ETC |
获取价格 |
CONN EDGE DUAL FMALE 22POS 0.156 |
|
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