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HSM113WK

更新时间： 2024-02-29 11:19:02

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日立 - HITACHI		电池肖特基二极管开关
页数	文件大小	规格书
3页	29K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode for Battery Switch

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HSM113WK 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.72
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL

HSM113WK 数据手册

ADE-208-025A(Z)

HSM113WK

Silicon Schottky Barrier Diode

for Battery Switch

Preliminary

Rev.1

Apr. 1993

Features

Pin Arrangement

• The HSM113WK has two different (V - I )

chips, and can change the main battery to the

backup battery automatically.

• MPAK package is suitable for high density

surface mounting and high speed assembly.

(Top View)

Ordering Information

1 Anode

2 Anode

3 Cathode

Type No.

Laser Mark

Package Code

HSM113WK

S12

MPAK

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Value

Pin 1-3

Value

Pin 2-3

Unit

Peak reverse voltage

V_RM

I _F

Forward current

200

100

Non-Repetitive peak forward surge current

Junction temperature

I_FSM

0.6

125

°C

Storage temperature

-55 to +125

stg

* 10msec, 1 pulse square wave

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Test Condition

Pin 1-3

—

0.35

Forward voltage

I = 10mA

Pin 2-3

Pin 1-3

1.2

—

1.8

0.55

I = 200mA

Forward voltage

Reverse current

Pin 2-3

Pin 1-3

—

3.0

I = 100mA

= 5 V

µA

Pin 2-3

—

1.0

= 20V

12 3

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